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FDLL457A PDF预览

FDLL457A

更新时间： 2024-09-09 11:15:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 信号二极管
页数 文件大小 规格书
3页 153K
描述
小信号二极管

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FDLL457A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：LL-34, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.25
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FDLL457A 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
Cathode Band  
FDLL457A / 1N457A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(T = 25°C unless otherwise noted) (Note 1)  
A
MiniMELF / SOD−80  
Symbol  
Rating  
Value  
70  
Unit  
V
CASE 100AD  
V
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
(Color Band Denotes Cathode)  
RRM  
I
200  
mA  
A
F(AV)  
I
Non−repetitive Peak Forward Current  
Pulse Width = 1.0 s  
Pulse Width = 1.0 ms  
FSM  
MARKING DIAGRAM  
1.0  
4.0  
COLOR BAND MARKING  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
°C  
°C  
STG  
DEVICE  
1ST BAND  
T
J
Operating Junction Temperature  
175  
FDLL457A  
WHITE  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
FDLL457A = Specific Device Code  
Measured on 8.3 ms single half−sine wave or equivalent square wave.  
Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
FDLL457A  
Package  
Shipping  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SOD−80  
(Pb−Free)  
2,500 Units /  
Tape & Reel  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Max  
500  
350  
Unit  
mW  
°C  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
P
D
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
q
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol Parameter  
Conditions  
= 100 mA  
R
Min  
Max  
Unit  
V
R
Breakdown  
Voltage  
I
85  
−
V
V
F
Forward  
Voltage  
I = 10 mA  
F
−
−
1.0  
1.0  
V
V
F
I = 100 mA  
I
R
Reverse  
Leakage  
V
R
V
R
= 60 V  
−
−
25  
5.0  
nA  
mA  
= 60 V, T = 150°C  
A
C
Total  
Capacitance  
V
R
= 0, f = 1.0 MHz  
−
6.0  
pF  
T
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 2  
FDLL457A/D  
 
123

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