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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.99 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 113 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 407 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD8778 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm |
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| FDD8778 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V，35A，14mΩ |
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| FDD8780 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench? MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm |
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| FDD8780 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，8.5mΩ |
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| FDD8780 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDD8780-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDD8782 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD8782 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，11mΩ |
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| FDD8796 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO |
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| FDD8796 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，5.7mΩ |
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