5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDD8770
FDD8770 PDF预览

FDD8770

更新时间： 2024-01-20 08:23:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 560K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，4.0mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDD8770 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.46
雪崩能效等级（Eas）：113 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：407 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8770 数据手册

 浏览型号FDD8770的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDD8770的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD8770的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD8770的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD8770的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDD8770的Datasheet PDF文件第7页 
Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain to Source Breakdown Voltage  
ID = 250µA, VGS = 0V  
25  
V
∆BVDSS  
∆TJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ID = 250µA, referenced to  
25°C  
13.6  
mV/°C  
1
VDS = 20V,  
VGS = 0V  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
µA  
TJ = 150°C  
250  
±100  
VGS = ±20V  
nA  
On Characteristics  
VGS(th)  
Gate to Source Threshold Voltage  
VGS = VDS, ID = 250µA  
1.2  
1.6  
2.5  
V
∆VGS(th)  
∆TJ  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
ID = 250µA, referenced to  
25°C  
-5.9  
mV/°C  
VGS = 10V, ID = 35A  
VGS = 4.5V, ID = 35A  
3.3  
4.0  
4.0  
5.5  
rDS(on)  
Drain to Source On Resistance  
mΩ  
VGS = 10V, ID = 35A  
TJ = 175°C  
4.8  
5.9  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Input Capacitance  
2795  
685  
450  
1.5  
3720  
915  
pF  
pF  
pF  
Ω
VDS = 13V, VGS = 0V,  
f = 1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
675  
f = 1MHz  
Switching Characteristics  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
10  
12  
49  
25  
52  
29  
8.1  
11  
20  
22  
78  
40  
73  
41  
ns  
ns  
VDD = 13V, ID = 35A  
VGS = 10V, RGS = 5Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
ns  
ns  
Qg  
Total Gate Charge  
Total Gate Charge  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller”Charge  
VGS = 0V to 10V  
nC  
nC  
nC  
nC  
VDD = 13V  
Qg  
VGS = 0V to 5V  
I
D = 35A  
Qgs  
Qgd  
Ig = 1.0mA  
Drain-Source Diode Characteristics  
VGS = 0V, IS = 35A  
0.84  
0.79  
32  
1.25  
1.0  
48  
VSD  
Source to Drain Diode Forward Voltage  
V
VGS = 0V, IS = 15A  
trr  
Reverse Recovery Time  
IF = 35A, di/dt = 100A/µs  
IF = 35A, di/dt = 100A/µs  
ns  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
25  
38  
nC  
Notes:  
1: Pulse time < 300µs, Duty cycle = 2%.  
o
2: Starting T = 25 C, L = 0.3mH, I = 27.5A ,V = 23V, V = 10V.  
J
AS  
DD  
GS  
2
www.fairchildsemi.com  
FDD8770/FDU8770 Rev. 1.2  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FDD8770相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD8778 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm
FDD8778 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V，35A，14mΩ
FDD8780 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench? MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm
FDD8780 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，8.5mΩ
FDD8780 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8780-G FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD8782 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8782 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，11mΩ
FDD8796 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO
FDD8796 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，5.7mΩ

与FDD8770相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证