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FDD8770

更新时间： 2024-10-29 11:14:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 560K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，4.0mΩ

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FDD8770 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.99
雪崩能效等级（Eas）：113 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：407 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8770 数据手册

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March 2015  
FDD8770/FDU8770  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
25V, 35A, 4.0mΩ  
General Description  
Features  
„ Max rDS(on) =4.0mΩ at VGS = 10V, ID = 35A  
„ Max rDS(on) =5.5mΩ at VGS = 4.5V, ID = 35A  
„ Low gate charge: Qg(10) = 52nC(Typ), VGS = 10V  
„ Low gate resistance  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically  
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
rDS(on) and fast switching speed.  
„ RoHS Compliant  
Application  
„ Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers  
„ VRM for Intermediate Bus Architecture  
D
G
D
G
S
I-PAK  
G
D S  
Short Lead I-PAK  
(TO-251AA)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
25  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package Limited)  
-Continuous (Die Limited)  
-Pulsed  
35  
ID  
210  
A
(Note 1)  
(Note 2)  
407  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
113  
mJ  
W
PD  
115  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case TO-252,TO-251  
Thermal Resistance, Junction to Ambient TO-252,TO-251  
Thermal Resistance, Junction to Ambient TO-252,1in2 copper pad area  
1.3  
100  
52  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDD8770  
Device  
FDD8770  
Package  
TO-252AA  
TO-251AA  
TO-251AA  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
16mm  
N/A  
Quantity  
2500 units  
75 units  
FDU8770  
FDU8770  
N/A(Tube)  
N/A(Tube)  
FDU8770  
FDU8770_F071  
N/A  
75 units  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8770/FDU8770 Rev. 1.2  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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与FDD8770相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD8778 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm
FDD8778 ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V，35A，14mΩ
FDD8780 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench? MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm
FDD8780 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，8.5mΩ
FDD8780 UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8780-G FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD8782 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8782 ONSEMI

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FDD8796 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO
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