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FDD86540

更新时间： 2024-10-28 12:23:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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6页 247K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 4.1 mΩ

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FDD86540 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.94
Samacsys Description：N-Channel Power Trench MOSFET 60V 136 A 4.1 M ohm雪崩能效等级（Eas）：228 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：21.5 A最大漏源导通电阻：0.0041 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：127 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD86540 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
10  
10000  
1000  
100  
Ciss  
VDD = 20 V  
ID = 21.5 A  
8
VDD = 30 V  
Coss  
6
VDD = 40 V  
4
2
0
Crss  
f = 1 MHz  
GS = 0 V  
V
10  
0.1  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
1
10  
60  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Qg, GATE CHARGE (nC)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
to Source Voltage  
140  
120  
100  
80  
100  
RθJC = 0.98 oC/W  
VGS = 10 V  
VGS = 8 V  
TJ = 25 oC  
10  
60  
TJ = 100 oC  
40  
TJ = 125 o  
C
Limited by Package  
50  
20  
0
1
0.01  
25  
75  
100  
125  
150  
0.1  
1
10  
100 300  
TC, CASE TEMPERATURE (oC)  
tAV, TIME IN AVALANCHE (ms)  
Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e  
Switching Capability  
Figure10. Maximum Continuous Drain  
Current vs Case Temperature  
10000  
200  
100  
SINGLE PULSE  
RθJC = 0.98 oC/W  
T
C = 25 oC  
10  
1
100 μs  
THIS AREA IS  
LIMITED BY rDS(on)  
1000  
100  
1 ms  
SINGLE PULSE  
TJ = MAX RATED  
10 ms  
DC  
R
θJC = 0.98 oC/W  
TC = 25 oC  
0.1  
0.1  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1
1
10  
100 200  
t, PULSE WIDTH (sec)  
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 11. Forward Bias Safe  
Operating Area  
Figure 12. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD86540 Rev. C  
4
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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