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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 0.97 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 228 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0041 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 127 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD86567-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® |
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| FDD86569 | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| FDD86569-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V，90 A，5.7 mΩ |
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| FDD86580-F085 | ONSEMI |
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60 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET |
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| FDD86581-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60 V，25 A，15 mΩ |
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| FDD8750 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm |
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| FDD8770 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0mOHM |
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| FDD8770 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，4.0mΩ |
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| FDD8778 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm |
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| FDD8778 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V，35A，14mΩ |
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