是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 7.94 |
Samacsys Description: | N-Channel Power Trench MOSFET 60V 136 A 4.1 M ohm | 雪崩能效等级(Eas): | 228 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A |
最大漏极电流 (ID): | 21.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0041 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 127 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD86567-F085 | ONSEMI |
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60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® | |
FDD86569 | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor | |
FDD86569-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V,90 A,5.7 mΩ | |
FDD86580-F085 | ONSEMI |
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60 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET | |
FDD86581-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60 V,25 A,15 mΩ | |
FDD8750 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm | |
FDD8770 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0mOHM | |
FDD8770 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,25V,35A,4.0mΩ | |
FDD8778 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm | |
FDD8778 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V,35A,14mΩ |