FDC5612

更新时间： 2024-02-28 13:56:12

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	246K
描述
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET

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FDC5612 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.31
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.3 A	最大漏极电流 (ID)：	4.3 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC5612 数据手册

May 1999

FDC5612

60V N-Channel PowerTrench^TMMOSFET

Features

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

• 4.3 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.055 W @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.064 W @ V_GS= 6 V.

• Low gate charge (12.5nC typical).

• Fast switching speed.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate

charge than other MOSFETs with comparable R_DS(ON)

specifications.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive

(even at very high frequencies), and DC/DC power supply

• SuperSOT^TM-6 package: small footprint (72% smaller

than standard SO-8); low profile (1mm thick).

designs with higher overall efficiency.

SuperSOT^TM-6

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

(Note 1a)

Drain Current - Continuous

Drain Current - Pulsed

4.3

P_D

Power Dissipation for Single Operation

1.6

(Note 1b)

0.8

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

(Note 1a)

(Note 1)

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

.612

FDC5612

7’’

8mm

3000 units

ã1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC5612 Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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FDC5612-F095	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC5614	FAIRCHILD	获取价格	60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC5614P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，60V，-3A，105mΩ
FDC5614P	FAIRCHILD	获取价格	60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC5614P_F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDC5614P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o

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