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FDC5614PD87Z

更新时间： 2024-02-28 11:04:20
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1112K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC5614PD87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC5614PD87Z 数据手册

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April 2000  
PRELIMINARY  
FDC5614P  
60V P-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high  
voltage PowerTrench process. It has been optimized for  
power management applications.  
·
–3 A, –60 V.  
RDS(ON) = 0.100 W @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 0.130 W @ VGS = –4.5 V  
·
·
Fast switching speed  
Applications  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
·
·
DC-DC converters  
Load switch  
Power management  
S
D
1
2
3
6
5
4
D
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–60  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±20  
(Note 1a)  
-3  
-20  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.614  
FDC5614P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC5614P Rev B (W)  
Ó 2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDC5614PD87Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC5614PS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDC5614PT/R_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDC5661N ONSEMI

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 		MOSFET - N-Channel Logic Level, PowerTrench® 
FDC5661N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET 60V
FDC5661N-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET， 逻辑电平，60V，4A，60mΩ
FDC60 ASTRODYNE

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FDC6000NZ FAIRCHILD

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FDC60-12D15 ETC

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 		60 WATTS OUTPUT POWER

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