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FDC6000NZ

更新时间： 2024-09-09 22:29:23
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 175K
描述
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDC6000NZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6000NZ 数据手册

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June 2004  
FDC6000NZ  
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild's Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V – 12V). Packaged in FLMP SSOT-6,  
the RDS(ON) and thermal properties of the device are  
optimized for battery power management applications.  
•
6.5 A, 20 V RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 2.5 V  
• ESD protection diode (note 3)  
• High performance trench technology for extremely  
Applications  
• Battery management/Charger Application  
low RDS(ON)  
• FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal  
• Load switch  
performance in industry-standard package size  
Bottom Drain Contact  
S2  
S1  
4
5
6
3
2
1
G1  
G2  
S2  
S1  
SuperSOT-6TM FLMP  
Bottom Drain Contact  
MOSFET Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
20  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
V
A
±12  
7.3  
20  
1.6  
1.8  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
PD  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
68  
1
RθJA  
RθJc  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.0NZ  
FDC6000NZ  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC6000NZ Rev E1 (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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