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FDC6020C_NL

更新时间： 2024-09-10 21:02:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 20V, 0.027ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6

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FDC6020C_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5.9 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e4
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6020C_NL 数据手册

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November 2003  
FDC6020C  
Complementary PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
These N & P-Channel MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
•
Q1 –4.2 A, –20V. RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = – 4.5 V  
RDS(ON) = 82 mΩ @ VGS = – 2.5 V  
Q2 5.9 A, 20V. RDS(ON) = 27 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 39 mΩ @ VGS = 2.5 V  
•
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
•
•
Low gate charge  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
•
FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
•
•
DC/DC converter  
Load switch  
•
Motor Driving  
Bottom Drain Contact  
Q2 (N)  
4
5
6
3
2
1
Q1 (P)  
Bottom Drain Contact  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
–20  
±12  
–4.2  
–20  
20  
±12  
5.9  
20  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
PD  
1.6  
1.8  
1.2  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
68  
1
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
FDC6020C  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
3000 units  
.020  
7’’  
8mm  
FDC6020C Rev B(W)  
2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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