5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDC5612
FDC5612 PDF预览

FDC5612

更新时间： 2023-09-03 20:36:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 319K
描述
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V，4.3A，55mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDC5612 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：21 weeks风险等级：0.96
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：166980Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SSOT 6LSamacsys Released Date：2015-04-13 16:42:53
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A
最大漏极电流 (ID)：4.3 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC5612 数据手册

 浏览型号FDC5612的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC5612的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDC5612的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC5612的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC5612的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC5612的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
60 V  
ꢂ
ꢃ
ꢂ
ꢄ
ꢄ
ꢀ
@
1
0
V
4.3 A  
ꢂ ꢃ ꢂ ꢅ ꢆ ꢀ @ 6 V  
60 V  
S
FDC5612  
D
D
G
D
General Description  
D
This N−Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using either  
synchronous or conventional switching PWM controllers.  
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge  
TSOT23 6−Lead  
(SUPERSOTt−6)  
CASE 419BL  
than other MOSFETs with comparable R  
specifications.  
DS(ON)  
MARKING DIAGRAM  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very  
high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher  
overall efficiency.  
562 MG  
G
Features  
• 4.3 A, 60 V.  
R
R
= 0.055 ꢀ @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.064 ꢀ @ V = 6 V  
DS(ON)  
GS  
562  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
• Low Gate Charge (12.5 nC Typical)  
• Fast Switching Speed  
(Note: Microdot may be in either location)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
.
DS(ON)  
TM  
• SUPERSOT −6 Package: Small Footprint  
PIN ASSIGNMENT  
(72% Smaller than Standard SO−8); Low Profile (1mm Thick).  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
1
2
3
6
5
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
20  
V
I
D
Drain Current  
A
−Continuous (Note 1a)  
4.3  
20  
ORDERING INFORMATION  
−Pulsed  
†
Device  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
P
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
W
D
1.6  
0.8  
TSOT−23−6  
(SUPERSOTt−6)  
(Pb−Free)  
FDC5612  
(Note 1b)  
T , T  
J
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
78  
°C/W  
ꢁ
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
30  
°C/W  
ꢁ
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2022 − Rev. 4  
FDC5612/D  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FDC5612相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC5612_04 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDC5612_F073 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC5612_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDC5612D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC5612-F095 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC5614 FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC5614P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET， 逻辑电平，60V，-3A，105mΩ
FDC5614P FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC5614P_F095 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDC5614P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o

与FDC5612相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证