是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5 |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 端子数量: | 4 |
最大工作频率: | 133 MHz | 最小工作频率: | 1 MHz |
标称工作频率: | 125 MHz | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装等效代码: | DILCC4,.12 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Oscillators |
最大压摆率: | 45 mA | 标称供电电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC5612 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
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FDC5612 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V,4.3A,55mΩ |
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FDC5612_04 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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FDC5612_F073 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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FDC5612_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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FDC5612D87Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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FDC5612-F095 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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FDC5614 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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FDC5614P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET, 逻辑电平,60V,-3A,105mΩ |
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FDC5614P | FAIRCHILD |
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60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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