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FDA16N50

更新时间： 2024-09-16 03:06:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 916K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FDA16N50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-204AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：780 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16.5 A最大漏极电流 (ID)：16.5 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：205 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDA16N50 数据手册

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September 2006  
TM  
UniFET  
FDA16N50  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 32 nC)  
Low Crss ( typical 20 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-3P  
FDA Series  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDA16N50  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
16.5  
9.9  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
66  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
±30  
780  
16.5  
20.5  
4.5  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
205  
2.1  
W
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
0.6  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
0.24  
--  
40  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDA16N50 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDA16N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		500V N-Channel MOSFET
FDA16N50-F109 ONSEMI

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 		N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，16.5A，380 mΩ
FDA16N50LDTU ONSEMI

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FDA18N50 FAIRCHILD

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 		PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER

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