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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 1110 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDA20N50_F109 | FAIRCHILD |
功能相似  |
500V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDA20N50_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDA20N50_0707 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDA20N50_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDA20N50_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDA20N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26ヘ |
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| FDA20N50F | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，22 A，260 |
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| FDA20N50F_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Ω |
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| FDA20N50-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，22A，230mΩ |
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| FDA210 | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
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| FDA2100BLV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持I2C诊断和设置驱动器的2x180 W / 1x300 W 35V低压操作PWM数字输 |
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