是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 4 weeks | 风险等级: | 0.92 |
雪崩能效等级(Eas): | 1110 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A |
最大漏极电流 (ID): | 22 A | 最大漏源导通电阻: | 0.26 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 388 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 88 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,20 A,260 | |
FDP20N50F | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,20 A,260 | |
FQA18N50V2 | FAIRCHILD |
功能相似 |
500V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDA20N50F_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Ω | |
FDA20N50-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V,22A,230mΩ | |
FDA210 | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER | |
FDA2100BLV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持I2C诊断和设置驱动器的2x180 W / 1x300 W 35V低压操作PWM数字输 | |
FDA2100LV | ETC |
获取价格 |
power amplifiers moving to the green zone | |
FDA2100LV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持I2C诊断和设置驱动器的2x180 W / 1x300 W低压操作PWM数字输入功率放 | |
FDA210E | IXYS |
获取价格 |
Photo Voltaic Cell Output Optocoupler | |
FDA210ES | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER | |
FDA210S | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER | |
FDA215 | CLARE |
获取价格 |
MOSFET Driver |