是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.51 |
Samacsys Confidence: | 3 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 166943 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical |
Samacsys Footprint Name: | TO-3PN | Samacsys Released Date: | 2018-03-04 14:17:52 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas): | 945 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 19 A |
最大漏极电流 (ID): | 19 A | 最大漏源导通电阻: | 0.265 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 239 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDA200E | IXYS |
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Photo Voltaic Cell Output Optocoupler | |
FDA200ES | ETC |
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PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER | |
FDA200S | ETC |
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PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER | |
FDA20N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDA20N50_07 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDA20N50_0707 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDA20N50_12 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDA20N50_F109 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDA20N50F | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26ヘ | |
FDA20N50F | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,22 A,260 |