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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PACKAGE-19 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 可调阈值： | YES |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT | JESD-30 代码： | R-XDFM-X19 |
| 信道数量： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 19 | 最高工作温度： | 120 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DFM | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 表面贴装： | NO |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | DUAL | 阈值电压标称： | 2.80 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F59D1G161LB-45BG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G161LB-45TG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G161MA-45BG2L | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G161MA-45TG2L | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G161MB-45BG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G161MB-45TG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G81LB | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G81LB-45BCG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G81LB-45BG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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| F59D1G81LB-45TG2M | ESMT |
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1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory |
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