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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2025-04-29 21:50:15

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M15T4G16256A-DEBG2G	ESMT	获取价格			元器件封装:96-FBGA;

F50L2G41XA-104YG2B-兆能售	ESMT	获取价格			IC,SPI-NAND Flash,3.3V,2 Gbit,F50L2G41XA-104YG2B,WSON 8C,ESMT

F50L2G41XA-104YG2B	ESMT	获取价格			元器件封装:8-WSON;

M15F4G16256A-DEBG2R	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR3-SDRAM,4Gbit,32M16bit8banks,1.5V,FPGA96,M15F4G16256A-DEBG2R,ESMT

M15T4G16256A-DEBG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR3-SDRAM,4Gbit,32M16bit8banks,1.5V,FPGA96,M15T4G16256A-DEBG2S,ESMT

M15T4G16256A-DEBG2S-兆能售	ESMT	获取价格		双倍数据速率	DDR3,4Gb,256M*16bit,1866Mb/s,FBGA-96,M15T4G16

EMP8130-30VN05NRR	ESMT	获取价格			最大输入耐压(V):5.5V;通道数:1;元器件封装:SOT23-5;

EMP8130-33VN05NRR	ESMT	获取价格			最大输入耐压(V):5.5V;通道数:1;元器件封装:SOT23-5;

EMP8130-28VN05NRR	ESMT	获取价格			最大输入耐压(V):5.5V;通道数:1;元器件封装:SOT23-5;

EMP8130-25VN05NRR	ESMT	获取价格			最大输入耐压(V):5.5V;通道数:1;元器件封装:SOT23-5;

EMP8130-12VN05NRR	ESMT	获取价格			最大输入耐压(V):5.5V;通道数:1;元器件封装:SOT23-5;

M11B16161SA-50T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M11L416256SA-35T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

F25L04PA-50PG	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 4MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

EN25B16-100QI	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11B1644SA-60T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

M11B16161A-50J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42

EN25P05-50GC	ESMT	获取价格			Flash Memory,

EN25B16T-100QCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256A-40T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

EN29LV160AT-70UCP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO44, SOP-44

EN29LV400B-45RBIP	ESMT	获取价格		内存集成电路	Flash, 256KX16, 45ns, PBGA48, FBGA-48

M12L64164A-5BIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M12L2561616A-7BIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD

M11L16161SA-50T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M14D5121632A-1.8BBIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, BGA-84

M12L64164A-5TG2M	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M13S128168A-6BIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE

EN25B16-100QCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256SA-28T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40