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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2023-11-11 21:16:51

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M11B16161SA-50T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M11L416256SA-35T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

F25L04PA-50PG	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 4MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

EN25B16-100QI	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11B1644SA-60T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

M11B16161A-50J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42

EN25P05-50GC	ESMT	获取价格			Flash Memory,

EN25B16T-100QCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256A-40T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

EN29LV160AT-70UCP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO44, SOP-44

EN29LV400B-45RBIP	ESMT	获取价格		内存集成电路	Flash, 256KX16, 45ns, PBGA48, FBGA-48

M12L64164A-5BIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M12L2561616A-7BIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD

M11L16161SA-50T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M14D5121632A-1.8BBIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, BGA-84

M12L64164A-5TG2M	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M13S128168A-6BIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE

EN25B16-100QCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256SA-28T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

F25L004A-100P	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 512KX8, PDSO8,

M11L16161SA-45T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M12L128168A-7BVAG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

EN25P05-50VCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256A-25T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

M12L64322A-7TIG2U	ESMT	获取价格		动态存储器	DRAM,

M11B416256A-25JP	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40

M11B16161A-60T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M12L32321A-6BG2G	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 1MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FR

F25L004A-75P	ESMT	获取价格			Flash Memory,

EN25B16-100QIP	ESMT	获取价格			Flash Memory,