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FLL21E010MK

更新时间： 2024-02-19 06:15:04

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描述
High Voltage - High Power GaAs FET

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FLL21E010MK 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	28 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL21E010MK 数据手册

FLL21E010MK

High Voltage - High Power GaAs FET

FEATURES

・High Voltage Operation : VDS=28V

・High Power : P1dB=40dBm(typ.) at f=2.17GHz

・High Gain: G1dB=14dB(typ.) at f=2.17GHz

・Broad Frequency Range : 2100 to 2200MHz

・Proven Reliability

DESCRIPTION

The FLL21E010MK is a high power GaAs FET that offers high efficiency,

ease of matching, greater consistency and broad bandwidth for high

power L-band amplifiers. This device is targeted for high voltage, low

current operation in digitally modulated amplification. This product is

ideally suited for W-CDMA and Multi-carrier PCS base station amplifiers

while offering high gain, long term reliability and ease of use.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Condition

Rating

-3

41.5

-65 to +175

200

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Channel Temperature

VDS

VGS ꢀꢀꢀ Tc=25^oC

Tstg

Tch

^oC

RECOMMENDED OPERATING CONDITION (Case Temperature Tc=25^oC)

Item

Symbol

Condition

Limit

Unit

DC Input Voltage

Forward Gate Current

Reverse Gate Current

Channel Temperature

VDS

<28

IGF

IGR

Tch

RG=50 Ω

<47

>-2.5

155

^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25^oC)

Item

Symbol Condition

Limit

min. Typ. Max.

Unit

Pinch-Off Voltage

VDS=5V IDS=1.5mA

IGS=-15µA

VDS=28V f=2.17GHz 39.0

-0.1

-5

-0.2

40.0

14.0

-0.5

dBm

^oC /W

Gate-Source Breakdown Voltage

Output Power at 1dB G.C.P.

Power Gain at 1dB G.C.P.

Drain Efficiency

VGSO

P1dB

G1dB

ηd

IDS(DC)=125mA

13.0

Thermal Resistance

Rth

Channel to Case

3.1

3.6

G.C.P.:Gain Compression Point

Edition 1.3

Mar 2004

12 3 4 5 6

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