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ESH1CHE3_A/H

更新时间： 2024-11-04 19:46:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
1A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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ESH1CHE3_A/H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ESH1CHE3_A/H 数据手册

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ESH1B, ESH1C, ESH1D  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery times for high efficiency  
• Low forward voltage, low power loss  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
• AEC-Q101 qualified  
DO-214AC (SMA)  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in secondary rectification and freewheeling for  
ultrafast switching speeds AC/AC and DC/DC converters in  
high temperature conditions for both consumer and  
automotive applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.0 A  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
trr  
100 V, 150 V, 200 V  
25 ns  
Case: DO-214AC (SMA)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3  
-
RoHS-compliant, commercial grade  
VF at IF  
0.90 V  
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)  
TJ max.  
175 °C  
Package  
Diode variations  
DO-214AC (SMA)  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
ESH1B  
EHB  
100  
ESH1C  
EHC  
150  
ESH1D  
EHD  
200  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
70  
105  
140  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TL = 150 °C  
100  
150  
200  
IF(AV)  
1.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
50  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +175  
°C  
Revision: 28-Apr-14  
Document Number: 88890  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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