ESH1PA

更新时间： 2024-11-04 06:57:55

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威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管瞄准线
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2页	158K
描述
High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers

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ESH1PA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.025 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

ESH1PA 数据手册

ESH1PA thru ESH1PD

Vishay Semiconductors

New Product

formerly General Semiconductor

High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers

Reverse Voltage 50 to 200 V

Cas Style SMP

Forward Current 1.0 A

Reverse Recovery Time 25ns

Cathode band

Features

• Very low profile - typical height of 1.0mm

• For surface mount application

• Glass passivated chip junction

0.086 (2.18)

0.074 (1.88)

• Ultrafast recovery times for high efficiency

• Low forward voltage, low power loss

• High operation temperature up to 175°C

• Built-in strain relief, ideal for automated placement

• High temperature soldering guaranteed:

260°C/10 seconds at terminals

0.142 (3.61)

0.126 (3.19)

0.158 (4.00)

0.146 (3.70)

• Meets MSL Level 1 per J-STD-020C

Mechanical Data

Dimensions in inches

and (millimeters)

Case: SMP

0.013 (0.35)

0.004 (0.10)

0.045 (1.15)

0.033 (0.85)

Terminals: Matte Tin plated (E3 Suffix) leads, solderable

per J-STD-002B and MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Weight: 0.0009 oz., 0.024g

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

0.012 (0.30)

0.000 (0.00)

0.018 (0.45)

0.006 (0.15)

Mounting Pad Layout

0.030

(0.762)

0.012 (0.30) REF

0.105

(2.67)

0.025

(0.635)

0.053 (1.35)

0.041 (1.05)

0.036 (0.91)

0.024 (0.61)

0.050

(1.27)

0.100

(2.54)

0.032 (0.80)

0.016 (0.40)

0.103 (2.60)

0.087 (2.20)

Maximum Ratings & Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Parameter

Symbol

ESH1PA ESH1PB ESH1PC ESH1PD

Unit

Device marking code

Maximum reverse voltage

Maximum average forward rectified current Fig.1

Peak forward surge current 10ms single half sine-wave

superimposed on rated load

100

150

200

V_RM

I_F(AV)

1.0

I_FSM

R_θJA

R_θJL

R_θJC

105

Typical thermal resistance ⁽¹⁾

°C/W

°C

Operating junction and Storage temperature range

T_J, T_STG

–55 to +175

Electrical Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Parameter

Symbol

Value

0.86

0.90

Unit

Maximum instantaneous forward voltage⁽²⁾at I_F=0.7A, T_J=25°C

V_F

at I_F=1A, T_J=25°C

Maximum reverse current

at rated VRM⁽²⁾

T_J= 25°C

T_J=125°C

1.0

I_R

µA

Maximum reverse current at V_R= 20V, T_J=150°C

Maximum reverse recovery time at I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A

I_R

trr

µA

Typical reverse recovery time at

T_J=25°C

trr

at I_F= 1.0A, V_R= 30V di/dt = 50A/µs, I_rr= 10% IRM T_J=100°C

Typical reverse recovery time at

T_J=25°C

Qrr

C_J

at I_F= 1.0A, V_R= 30V di/dt = 50A/µs, I_rr= 10% IRM T_J=100°C

Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz

Notes: (1) Thermal resistance from junction to ambient and junction to lead mounted on P.C.B. with 5.0 x 5.0mm copper pad areas. R_θJLis measured at the

terminal of cathode band. R_θJCis measured at the top centre of the body

(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle

Document Number 88895

23-Sep-04

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ESH1PA-E3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, PLASTIC, CASE SMP, 2 PIN
ESH1PB	VISHAY	获取价格	Vishay General Semiconductor
ESH1PB_11	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers
ESH1PB-E3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
ESH1PB-E3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, S
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