ESH1PD

更新时间： 2024-11-04 06:57:55

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威世 - VISHAY		半导体整流二极管测试光电二极管瞄准线超快恢复二极管快速恢复二极管
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Vishay General Semiconductor

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ESH1PD 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.48
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.9 V
JEDEC-95代码：	DO-220AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	1 µA	最大反向恢复时间：	0.025 µs
反向测试电压：	200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

ESH1PD 数据手册

New Product

ESH1PB, ESH1PC & ESH1PD

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery times for high frequency

• Low forward voltage drop, low power loss

• Low thermal resistance

DO-220AA (SMP)

• Meets MSL level 1 per J-STD-020C, LF max peak

of 260 °C

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in secondary rectification and freewheeling for

ultrafast switching speeds of ac-to-ac and dc-to-dc

converters in high temperature conditions for both

consumer and automotive applications.

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

t_rr

1 A

100 V, 150 V, 200 V

25 ns

MECHANICAL DATA

V_F

0.90 V

Case: DO-220AA (SMP)

T_jmax.

175 °C

Epoxy meets UL-94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

ESH1PB

ESH1PC

ESH1PD

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

100

150

200

1.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 175

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum instantaneous forward at I_F= 0.7 A, T_j= 25 °C

voltage ⁽¹⁾

at I_F= 1 A, T_j= 25 °C

TEST CONDITIONS

SYMBOL VALUE

UNIT

0.86

V_F

0.90

Maximum reverse current at rated T_j= 25 °C

1.0

I_R

µA

V_R⁽¹⁾voltage

T_j= 125 °C

Maximum reverse current

at V_R= 20 V, T_j= 150 °C

I_R

Document Number: 88895

Revision: 25-Jun-07

www.vishay.com

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与ESH1PD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ESH1PD-E3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM),
ESH1PD-E3/85A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM),
ESH1PD-HE3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM),
ESH1PDHE3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM),
ESH1PDHE3/85A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM),
ESH1PD-HE3/85A	VISHAY	获取价格	1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMP, 2 PIN
ESH1PDHM3/85A	VISHAY	获取价格	1A, 200V, E.FF SMDIODE
ESH1PD-M3/85A	VISHAY	获取价格	1A, 200V, E.FF SMDIODE
ESH225M100AC3EA	KEMET	获取价格	ESH, Aluminum Electrolytic, 2.2 uF, 20%, 100
ESH225M200AE3AA	KEMET	获取价格	ESH, Aluminum Electrolytic, 2.2 uF, 20%, 200

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