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ESH1PB-HE3/85A

更新时间： 2024-11-04 15:32:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	90K
描述
1A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMP, 2 PIN

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ESH1PB-HE3/85A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-220AA	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-220AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.025 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

ESH1PB-HE3/85A 数据手册

ESH1PB, ESH1PC & ESH1PD

New Product

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery times for high frequency

• Low forward voltage drop, low power loss

• Low thermal resistance

DO-220AA (SMP)

• Meets MSL level 1 per J-STD-020C, LF max peak

of 260 °C

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in secondary rectification and freewheeling for

ultrafast switching speeds of ac-to-ac and dc-to-dc

converters in high temperature conditions for both

consumer and automotive applications.

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

t_rr

1 A

100 V, 150 V, 200 V

25 ns

MECHANICAL DATA

V_F

0.90 V

Case: DO-220AA (SMP)

T_jmax.

175 °C

Epoxy meets UL-94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

ESH1PB

ESH1PC

ESH1PD

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

100

150

200

1.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 175

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum instantaneous forward at I_F= 0.7 A, T_j= 25 °C

voltage ⁽¹⁾

at I_F= 1 A, T_j= 25 °C

TEST CONDITIONS

SYMBOL VALUE

UNIT

0.86

V_F

0.90

Maximum reverse current at rated T_j= 25 °C

1.0

I_R

µA

V_R⁽¹⁾voltage

T_j= 125 °C

Maximum reverse current

at V_R= 20 V, T_j= 150 °C

I_R

Document Number 88895

23-Jun-06

www.vishay.com

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ESH1PC	VISHAY	获取价格	Vishay General Semiconductor
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