是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 5 weeks | 风险等级: | 1.52 |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE, ULTRA LOW CAPACITANCE | 最小击穿电压: | 5 V |
击穿电压标称值: | 5 V | 最大钳位电压: | 10 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.15 W |
参考标准: | IEC-61000-4-5 | 最大重复峰值反向电压: | 3.3 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SZESD7351XV2T1G | ONSEMI |
完全替代 |
Transient Voltage Suppressors | |
SZESD7351P2T5G | ONSEMI |
完全替代 |
Transient Voltage Suppressors | |
SZESD7351HT1G | ONSEMI |
完全替代 |
Transient Voltage Suppressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESD7351P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressors | |
ESD7351XV2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressors | |
ESD7351XV2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diode | |
ESD7361 | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes | |
ESD7361_16 | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes | |
ESD7361HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes | |
ESD7361HT1G | UMW |
获取价格 |
反向截止电压(Vrwm):5V;极性/通道数(Channel):1-Line,Unidir | |
ESD7361P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes | |
ESD7361XV2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes | |
ESD7361XV2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
16V(Vz 最小值)低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 |