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ESD7371XV2T1G

更新时间： 2024-02-05 18:22:01
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安森美 - ONSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 114K
描述
Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes

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ESD7371XV2T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.16
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最小击穿电压：7 V
击穿电压标称值：7 V最大钳位电压：14 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.3 W
参考标准：IEC-61000-4-2, 4-5最大重复峰值反向电压：5.3 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ESD7371XV2T1G 数据手册

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ESD7371,  
SZESD7371 Series  
Ultra-Low Capacitance ESD  
Protection  
The ESD7371 Series is designed to protect voltage sensitive  
components that require ultra−low capacitance from ESD and  
transient voltage events. Excellent clamping capability, low  
capacitance, high breakdown voltage, high linearity, low leakage, and  
fast response time make these parts ideal for ESD protection on  
designs where board space is at a premium. It has industry leading  
capacitance linearity over voltage making it ideal for RF applications.  
This capacitance linearity combined with the extremely small package  
and low insertion loss makes this part well suited for use in antenna  
line applications for wireless handsets and terminals.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
2
SOD−323  
CASE 477  
AG  
M
1
1
Features  
2
SOD−523  
CASE 502  
AG  
• Industry Leading Capacitance Linearity Over Voltage  
• Low Capacitance (0.7 pF Max, I/O to GND)  
• Stand−off Voltage: 5.3 V  
• Low Leakage: < 1 nA  
• Low Dynamic Resistance < 1 W  
• IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection  
• 1000 ESD IEC61000−4−2 Strikes 8 kV Contact / Air Discharged  
1
2
SOD−923  
CASE 514AB  
AE M  
X, XX = Specific Device Code  
M
= Date Code  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
PIN CONFIGURATION  
AND SCHEMATIC  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Typical Applications  
1
2
• RF Signal ESD Protection  
• RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection  
• Near Field Communications  
• USB 2.0, USB 3.0  
Cathode  
Anode  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Rating  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
kV  
A
IEC 61000−4−2 (ESD) (Note 1)  
IEC 61000−4−5 (ESD) (Note 2)  
3.0  
Total Power Dissipation (Note 3) @ T = 25°C  
°P °  
300  
400  
mW  
°C/W  
A
D
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Lead Solder Temperature − Maximum  
(10 Second Duration)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Non−repetitive current pulse at T = 25°C, per IEC61000−4−2 waveform.  
A
2. Non−repetitive current pulse at T = 25°C, per IEC61000−4−5 waveform.  
A
3. Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR−4  
See Application Note AND8308/D for further description of survivability specs.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
September, 2014 − Rev. 1  
ESD7371/D  
 
12345678

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