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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> EMX1DXV6T1
EMX1DXV6T1 PDF预览

EMX1DXV6T1

更新时间： 2024-09-15 06:57:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

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EMX1DXV6T1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

EMX1DXV6T1 数据手册

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EMX1DXV6T1,  
EMX1DXV6T5  
Preferred Devices  
Dual NPN General Purpose  
Amplifier Transistor  
This NPN transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. This device is housed in the SOT-563 package which is  
designed for low power surface mount applications, where board  
space is at a premium.  
http://onsemi.com  
DUAL NPN GENERAL  
PURPOSE AMPLIFIER  
TRANSISTORS  
Features  
• Reduces Board Space  
• High h , 210−460 (Typical)  
FE  
SURFACE MOUNT  
• Low V  
, < 0.5 V  
CE(sat)  
• These are Pb−Free Devices  
(6)  
(5)  
(4)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Tr  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Base Voltage  
V
60  
Vdc  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
Tr  
1
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
50  
7.0  
100  
Vdc  
Vdc  
(1)  
(2)  
(3)  
Collector Current − Continuous  
I
mAdc  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
6
Total Device Dissipation  
P
D
1
T = 25°C  
357 (Note 1)  
2.9 (Note 1)  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
q
JA  
350 (Note 1)  
°C/W  
SOT−563  
CASE 463A  
STYLE 1  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
D
T = 25°C  
Derate above 25°C  
500 (Note 1)  
4.0 (Note 1)  
mW  
mW/°C  
A
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
250 (Note 1)  
°C/W  
q
JA  
3X M G  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
−55 to +150  
°C  
G
1
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
3X = Specific Device Code  
M
= Month Code  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
November, 2005 − Rev. 1  
EMX1DXV6T1/D  
 
1234

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EMX1DXV6T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
EMX1DXV6T1G ONSEMI

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 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

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EMX1DXV6T1/D ETC

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 		Dual NPN General Purpose Amplier Transistor
EMX1DXV6T1G ONSEMI

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EMX1DXV6T5 ONSEMI

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EMX1DXV6T5G ONSEMI

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 		Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor
EMX1FHAT2R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
EMX1T2R ROHM

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EMX2 ROHM

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 		General purpose (dual transistors)
EMX2_1 ROHM

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 		Low frequency transistor, complex (2-elements) Bipolar Transistor

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