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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> EMX2DXV6T5G
EMX2DXV6T5G PDF预览

EMX2DXV6T5G

更新时间： 2024-11-06 06:57:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 122K
描述
Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

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EMX2DXV6T5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.01
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

EMX2DXV6T5G 数据手册

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EMX2DXV6T5  
Preferred Devices  
Dual NPN General Purpose  
Amplifier Transistor  
This NPN transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. This device is housed in the SOT-563 package which is  
designed for low power surface mount applications, where board  
space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
DUAL NPN GENERAL  
PURPOSE AMPLIFIER  
TRANSISTORS  
• Reduces Board Space  
• High h , 210−460 (Typical)  
FE  
• Low V  
, < 0.5 V  
CE(sat)  
SURFACE MOUNT  
• These are Pb−Free Devices  
(3)  
(2)  
(1)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
V
V
50  
Vdc  
Q
2
Q
1
7.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
100  
mAdc  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
(4) (5)  
(6)  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
Total Device Dissipation  
P
D
357 (Note 1)  
2.9 (Note 1)  
mW  
mW/°C  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
R
350 (Note 1)  
°C/W  
SOT−563  
CASE 463A  
STYLE 2  
q
JA  
6
3R M G  
G
1
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
1
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
3R = Specific Device Code  
D
500 (Note 1)  
4.0 (Note 1)  
mW  
mW/°C  
T = 25°C  
M
= Month Code  
A
Derate above 25°C  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
R
q
250 (Note 1)  
°C/W  
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
EMX2DXV6T5  
SOT−563 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
EMX2DXV6T5G  
SOT−563 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
November, 2005 − Rev. 2  
EMX2DXV6T5/D  
1234

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EMX2DXV6T5G 替代型号

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