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EDI2AG272128V10D1

更新时间： 2024-02-19 18:03:16

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WEDC		存储内存集成电路静态存储器
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11页	161K
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2 Megabyte Sync/Sync Burst, Small Outline DIMM

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EDI2AG272128V10D1 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	LINEAR BURST; CONFIGURABLE AS 256K X 64
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	144	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.3 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	2.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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EDI2AG272128V-D1

White Electronic Designs

ADVANCED*

2 Megabyte Sync/Sync Burst, Small Outline DIMM

FEATURES

ꢀ

2x128Kx72 Synchronous, Synchronous Burst

Flow-Through Architecture

The EDI2AG272128VxxD1 is a Synchronous/Synchronous

Burst SRAM, 72 position DIMM (144 contacts) Module,

organized as 2x128Kx72. The Module contains four

(4) Synchronous Burst Ram Devices, packaged in the

industry standard JEDEC 14mmx20mm TQFP placed on

a Multilayer FR4 Substrate. The module architecture is

deﬁned as a Sync/Sync Burst, Flow-Through, with support

for linear burst. This module provides High Performance,

2-1-1-1 accesses when used in Burst Mode, and used as

a Synchronous Only Mode, provides a high performance

cost advantage over BiCMOS aysnchronous device

architectures.

Linear Burst Mode

Clock Controlled Registered Bank Enables (E1#, E2#)

Clock Controlled Byte Write Mode Enable (BWE#)

Clock Controlled Byte Write Enables

(BW1# - BW8#)

ꢀ

Clock Controlled Registered Address

Clock Controlled Registered Global Write (GW#)

Aysnchronous Output Enable (G#)

Internally self-timed Write

Gold Lead Finish

3.3V 1ꢀ0 Operation

Access Speed(s): TKHQV=8.5, 9, 1ꢀ, 12ns

Common Data I/O

High Capacitance (3ꢀpf) drive, at rated Access Speed

Single total array Clock

Synchronous Only operations are performed via strapping

ADSC# Low, and ADSP#/ADV# High, which provides for

Ultra Fast Accesses in Read Mode while providing for

internally self-timed Early Writes.

Synchronous/Synchronous Burst operations are in relation

to an externally supplied clock, Registered Address,

Registered Global Write, Registered Enables as well as

an Asynchronous Output enable. This Module has been

deﬁned with full ﬂexibility, which allows individual control

of each of the eight bytes, as well as Quad Words in both

Read and Write Operations.

Multiple Vcc and Gnd

*This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change or cancellation without notice.

White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

July 1999

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

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