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EDI2AG27264V85D1

更新时间: 2024-02-09 19:24:25
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 500K
描述
SRAM Module, 128KX72, CMOS, PDMA144,

EDI2AG27264V85D1 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N144内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:72
端子数量:144字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.3 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.2 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EDI2AG27264V85D1 数据手册

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