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E3V3UUWS1CR

更新时间： 2024-11-06 14:53:59

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先科 - SWST		二极管
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3页	193K
描述
静电保护二极管

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E3V3UUWS1CR 数据手册

E3V3UUWS1CR

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Features

• Low reverse current

Anode

Top View

Marking Code : G3

Simplified outline SC-76 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

I_PP

Value

Unit

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

ESD per IEC 61000-4-2

Air

Contact

± 20

± 15

V_ESD

T_j

℃

Operation Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 125

℃

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)

4.5

7.5

0.5

1.2

8.5

μA

Reverse Current

at V_R= 3.3 V

I_R

Forward Voltage

at I_F= 15 mA

V_F

V_C

Clamping Voltage

at I_PP= 3 A , tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage ¹⁾

at I_TLP= 16 A , tp = 0.2/100 ns

Dynamic Resistance ²⁾

V_C

R_DYN

C_j

14.2

0.67

0.26

Ω

Junction Capacitance

at V_R= 1.65 V, f = 1 MHz

0.5

¹⁾TLP conditions : tp = 100 ns ,tr = 0.2 ns, I_TLPand V_TLPaveraging window : t₁= 70 ns to t₂= 90 ns.

²⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

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Dated: 11/09/2020 Rev : 01

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