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E3V3VUPU4KR

更新时间： 2023-12-06 20:09:29

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先科 - SWST		二极管
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3页	195K
描述
静电保护二极管

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E3V3VUPU4KR 数据手册

E3V3VUPU4KR

ESD Protection Diode

Features

• 4 Channels of ESD protection

• Low reverse current

Pin 1

Pin 2

Pin 4

Pin 5

Pin 3, 8

1. I/O1 2. I/O2 3. GND 4. I/O3 5. I/O4

6. NC 7. NC 8. GND 9. NC 10. NC

DFN2510-10 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

ESD per IEC 61000-4-2

P_PK

I_PP

Air

Contact

± 18

V_ESD

Operation Temperature

℃

T_j

125

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

V_RWM

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_R= 3.3 V

I_R

100

Clamping Voltage

at I_PP= 7 A , tp = 8/20 µs , I/O Pin to GND

V_C

ESD Clamping Voltage

V_CL

3.1

6.5

at I_TLP= 1 A , tp = 0.2/100 ns , I/O Pin to GND

at I_TLP= 16 A , tp = 0.2/100 ns , I/OPin to GND

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.3

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4 A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 29/05/2023 Rev : 02

12 3

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