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E3V3VUPD1CB

更新时间： 2023-12-06 20:10:56

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先科 - SWST		二极管
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4页	227K
描述
静电保护二极管

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E3V3VUPD1CB 数据手册

E3V3VUPD1CB

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Features

• Low clamping voltage

• Low operating voltage

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Power Dissipation

Symbol

Value

Unit

P_PK

I_PP

3.5

P_D

150

Air

Contact

± 20

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

125

℃

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

4.2

7.5

Reverse Current

at V_RWM= 3.3 V

I_R

100

Clamping Voltage

V_C

8.5

12.5

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 3.5 A, tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

10.5

20.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.65

R_dyn

0.84

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 4

Dated : 14/12/2022 Rev : 02

12 3 4

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