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DS1350ABL-70-IND

更新时间: 2024-02-21 07:05:56
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 电池
页数 文件大小 规格书
9页 264K
描述
NVRAM (Battery Based)

DS1350ABL-70-IND 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最长访问时间:70 ns
其他特性:WITH BATTERY MONITORJESD-30 代码:R-XDFP-U34
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:34
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00015 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.085 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:J INVERTED端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DS1350ABL-70-IND 数据手册

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