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DS1350Y-IND

更新时间: 2024-11-19 20:37:35
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS

DS1350Y-IND 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.57
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
其他特性:10 YEARS OF DATA RETENTION PERIODJESD-30 代码:R-XDMA-N34
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:34
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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