是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.57 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD | JESD-30 代码: | R-XDMA-N34 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 34 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1350YL-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YL-100-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YL-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YL-70IND | MAXIM |
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512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 | |
DS1350YL-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YLPM-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 | |
DS1350YLPM-70 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDFP34 | |
DS1350YP-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YP-100+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1350YP-100-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, MOS, POWERCAP MODULE-34 |