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DS1350W-150-IND PDF预览

DS1350W-150-IND

更新时间： 2024-11-19 12:58:59
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 电池静态存储器监控
页数 文件大小 规格书
11页 112K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS,

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DS1350W-150-IND 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69最长访问时间：150 ns
其他特性：10 YEARS MINIMUM DATA RETENTIONJESD-30 代码：R-XDMA-T28
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DS1350W-150-IND 数据手册

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DS1350W  
PRELIMINARY  
DS1350W  
3.3V 4096K Nonvolatile SRAM  
with Battery Monitor  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
• 10 years minimum data retention in the absence of  
external power  
BW  
A15  
A16  
RST  
1
2
3
4
5
6
7
8
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
A18  
A17  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
• Data is automatically protected during power loss  
• Power supply monitor resets processor when V  
powerloss occurs andholdsprocessorinresetduring  
V
CC  
CC  
WE  
OE  
CE  
V
CC  
ramp–up  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
GND  
9
• Battery monitor checks remaining capacity daily  
• Read and write access times as fast as 150 ns  
• Unlimited write cycle endurance  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
A4  
A3  
A2  
A1  
GND  
V
BAT  
• Typical standby current 50 µA  
A0  
• Upgrade for 512K x 8 SRAM, EEPROM or Flash  
34–PIN POWERCAP MODULE (PCM)  
(USES DS9034PC POWERCAP)  
• Lithium battery is electrically disconnected to retain  
freshness until power is applied for the first time  
PIN DESCRIPTION  
• Optional industrial temperature range of –40°C to  
+85°C, designated IND  
A0–A18  
DQ0–DQ7  
CE  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Address Inputs  
Data In/Data Out  
Chip Enable  
• New PowerCap Module (PCM) package  
–
–
Directly surface–mountable module  
Replaceable snap–on PowerCap provides lith-  
ium backup battery  
WE  
Write Enable  
OE  
RST  
BW  
Output Enable  
Reset Output  
Battery Warning Output  
Power (+3.3 Volts)  
Ground  
–
–
Standardized pinout for all nonvolatile SRAM  
products  
Detachment feature on PowerCap allows easy  
removal using a regular screwdriver  
V
CC  
GND  
NC  
No Connect  
DESCRIPTION  
The DS1350W 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM is a  
4,194,304–bit, fully static, nonvolatile SRAM organized  
as 524,288 words by eight bits. Each NV SRAM has a  
self–contained lithium energy source and control cir-  
data corruption. Additionally, the DS1350W has dedi-  
cated circuitry for monitoring the status of V and the  
CC  
status of the internal lithium battery. DS1350W devices  
in the PowerCap Module package are directly surface  
mountable and are normally paired with a DS9034PC  
PowerCap to form a complete Nonvolatile SRAM mod-  
ule. The devices can be used in place of 512K x 8  
SRAM, EEPROM or Flash components.  
cuitry which constantly monitors V for an out–of–tol-  
CC  
erance condition. When such a condition occurs, the  
lithium energy source is automatically switched on and  
write protection is unconditionally enabled to prevent  
022598 1/11  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS1350W-IND DALLAS

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 		暂无描述
DS1350WP-100 DALLAS

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 		512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34
DS1350WP-150 DALLAS

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 		Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS,
DS1350WP-150-IND DALLAS

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