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DS1350YL-70

更新时间: 2024-01-07 02:56:09
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其他 - ETC 电池内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 219K
描述
NVRAM (Battery Based)

DS1350YL-70 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最长访问时间:70 ns
其他特性:10 YEAR DATA RETENTION PERIODJESD-30 代码:R-XDMA-U34
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:34字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00015 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J INVERTED
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1350YL-70 数据手册

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