是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DMA | 包装说明: | POWERCAP MODULE-34 |
针数: | 34 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.67 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码: | R-XDMA-U34 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 34 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装等效代码: | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J INVERTED |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DS1350YP-70+ | MAXIM |
完全替代 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1350YP-70+ | MAXIM |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350YP-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350YP-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350YP-C01 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, CMOS, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1351 | TE |
获取价格 |
Shielded Drum Core Inductors | |
DS135A | SANYO |
获取价格 |
Diffused Junction Type Silicon Diode 1.0A Power Rectifier | |
DS135AC | ONSEMI |
获取价格 |
DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode | |
DS135AD | ONSEMI |
获取价格 |
1A, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-2 | |
DS135C | SANYO |
获取价格 |
1.0A Power Rectifier | |
DS135D | SANYO |
获取价格 |
1.0A Power Rectifier |