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DS1350YL-70IND

更新时间: 2024-11-19 14:41:51
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 381K
描述
512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34

DS1350YL-70IND 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:,针数:34
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.42
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
其他特性:DATA RETENTION = 10 YRSJESD-30 代码:R-XDFP-U34
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:34
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J INVERTED
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1350YL-70IND 数据手册

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