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DS1350Y

更新时间： 2024-02-23 12:13:35
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 电池静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 225K
描述
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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DS1350Y 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69最长访问时间：70 ns
其他特性：10 YEARS OF DATA RETENTION PERIODJESD-30 代码：R-XDMA-N34
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：34字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DS1350Y 数据手册

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19-5585; Rev 10/10  
DS1350Y/AB  
4096k Nonvolatile SRAM  
with Battery Monitor  
www.maxim-ic.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
. 10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
A18  
A17  
A14  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
BW  
.
Data is automatically protected during power  
loss  
A15  
A16  
RST  
VCC  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
. Power supply monitor resets processor when  
CC power loss occurs and holds processor in  
WE  
OE  
V
CE  
A8  
DQ7  
reset during VCC ramp-up  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
GND  
. Battery monitor checks remaining capacity  
daily  
GND VBAT  
. Read and write access times of 70ns  
. Unlimited write cycle endurance  
. Typical standby current 50µA  
. Upgrade for 512k x 8 SRAM, EEPROM, or  
Flash  
16  
17  
34-Pin PowerCap Module (PCM)  
(Uses DS9034PC+ or DS9034PCI+ PowerCap)  
. Lithium battery is electrically disconnected to  
retain freshness until power is applied for the  
first time  
. Full ±10% VCC operating range (DS1350Y)  
or optional ±5% VCC operating range  
(DS1350AB)  
. Optional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
. PowerCap Module (PCM) package  
PIN DESCRIPTION  
A0 – A18  
DQ0 – DQ7  
CE  
- Address Inputs  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
- Write Enable  
- Output Enable  
- Reset Output  
- Battery Warning  
- Power (+5V)  
- Ground  
WE  
OE  
RST  
BW  
VCC  
GND  
-
-
Directly surface-mountable module  
Replaceable snap-on PowerCap provides  
lithium backup battery  
-
-
Standardized pinout for all nonvolatile  
(NV) SRAM products  
Detachment feature on PowerCap allows  
easy removal using a regular screwdriver  
DESCRIPTION  
The DS1350 4096k NV SRAMs are 4,194,304 bit, fully static, NV SRAMs organized as 524,288 words  
by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which  
constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium  
energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent  
data corruption. Additionally, the DS1350 devices have dedicated circuitry for monitoring the status of  
VCC and the status of the internal lithium battery. DS1350 devices in the PowerCap Module package are  
directly surface mountable and are normally paired with a DS9034PC PowerCap to form a complete NV  
SRAM module. The devices can be used in place of 512k x 8 SRAM, EEPROM or Flash components.  
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与DS1350Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS1350Y/AB ETC

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 		4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1350Y-70 DALLAS

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 		4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1350Y-IND MAXIM

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 		Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS
DS1350Y-IND DALLAS

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 		暂无描述
DS1350YL-100 ETC

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 		NVRAM (Battery Based)
DS1350YL-100-IND ETC

获取价格

 		NVRAM (Battery Based)
DS1350YL-70 ETC

获取价格

 		NVRAM (Battery Based)
DS1350YL-70IND MAXIM

获取价格

 		512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34
DS1350YL-70-IND ETC

获取价格

 		NVRAM (Battery Based)
DS1350YLPM-100 MAXIM

获取价格

 		Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34

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