生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD | JESD-30 代码: | R-XDMA-N34 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 34 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1350Y/AB | ETC |
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4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350Y-70 | DALLAS |
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4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350Y-IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | |
DS1350Y-IND | DALLAS |
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暂无描述 | |
DS1350YL-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YL-100-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YL-70 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YL-70IND | MAXIM |
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512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 | |
DS1350YL-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350YLPM-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |