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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOJ-I, | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.57 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | OVER 10 YEARS DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-U34 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 24.5745 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ-I |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 6.35 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 21.5265 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1350ABP-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1350ABP-100+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1350ABP-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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| DS1350ABP-100-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, MOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1350ABP-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1350ABP-70+ | MAXIM |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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| DS1350ABP-70IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1350ABP-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
|
| DS1350ABP-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1350BL-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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