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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMN3112SSS-13
DMN3112SSS-13 PDF预览

DMN3112SSS-13

更新时间： 2024-11-19 09:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 194K
描述
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN3112SSS-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN3112SSS-13 数据手册

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DMN3112SSS  
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOP-8L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead  
frame. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.072g (approximate)  
•
•
57mΩ @ VGS = 10V  
112mΩ @ VGS = 4.5V  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 4)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
SOP-8L  
S
D
S
S
G
D
D
D
TOP VIEW  
Internal Schematic  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
30  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
±20  
Drain Current (Note 1)  
Steady  
State  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
6
4.5  
A
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
24  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
2.5  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
°C/W  
°C  
Rθ  
J, TSTG  
JA  
-55 to +150  
T
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
30  
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
800  
VGS = 0V, ID = 250μA  
DS = 30V, VGS = 0V  
nA  
⎯
⎯
⎯
V
V
±80  
±800  
GS = ±20V, VDS = 0V  
VGS = ±25V, VDS = 0V  
Gate-Source Leakage  
nA  
IGSS  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
1
2.2  
V
VGS(th)  
⎯
VDS = VGS, ID = 250μA  
43  
83  
57  
112  
V
V
GS = 10V, ID = 5.8A  
GS = 4.5V, ID = 3.7A  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS(ON)  
⎯
mΩ  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage (Note 5)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
2.8  
0.8  
S
V
gfs  
⎯
0.5  
⎯
1.2  
VDS = 10V, ID = 3.7A  
VGS = 0V, IS = 2.1A  
VSD  
268  
73  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
DS = 15V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
50  
Notes:  
1. Device mounted on 2 oz copper pad layout with RθJA = 50°C/W.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
October 2008  
© Diodes Incorporated  
DMN3112SSS  
Document number: DS31582 Rev. 1 - 2  
1234

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