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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN3150LW-7
DMN3150LW-7 PDF预览

DMN3150LW-7

更新时间： 2024-02-19 10:27:58
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 163K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN3150LW-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.65Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：28 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：0.088 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN3150LW-7 数据手册

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DMN3150LW  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance:  
RDS(ON) < 88mΩ @ VGS = 4.5V  
DS(ON) < 138mΩ @ VGS = 2.5V  
•
•
Case: SOT-323  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
R
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
•
Drain  
SOT-323  
D
Gate  
G
S
Source  
EQUIVALENT CIRCUIT  
Pin Configuration  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Value  
28  
Unit  
V
V
±12  
Drain Current (Note 1)  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Pulsed  
1.6  
1.2  
A
ID  
Drain Current (Note 1)  
Body-Diode Continuous Current (Note 1)  
6.4  
1.5  
A
A
IDM  
IS  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
350  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
357  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
28  
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
800  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = 28V, VGS = 0V  
VGS = ±12V, VDS = 0V  
VGS = ±19V, VDS = 0V  
nA  
⎯
±80  
±800  
Gate-Body Leakage  
nA  
IGSS  
⎯
⎯
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Gate Threshold Voltage  
0.62  
0.94  
1.4  
V
VGS(th)  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 4.5V, ID = 1.6A  
VGS = 2.5V, ID = 1.2A  
VDS = 5V, ID = 2.7A  
VGS = 0V, IS = 1.5A  
⎯
⎯
⎯
⎯
73  
115  
88  
138  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS(ON)  
mΩ  
Forward Transconductance  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
5.4  
S
V
|Yfs|  
VSD  
⎯
1.16  
⎯
305  
74  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VDS = 5V, VGS = 0V  
f = 1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
48  
Notes:  
1. Device mounted on 1in2 FR-4 PCB on 2oz. Copper. t ≤ 10 sec.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
August 2008  
© Diodes Incorporated  
DMN3150LW  
Document number: DS31514 Rev. 1 - 2  
1234

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DMN3150LW-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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