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DMN3210-13 PDF预览

DMN3210-13

更新时间： 2024-09-24 21:22:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 144K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTC PACKAGE-3

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DMN3210-13 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN3210-13 数据手册

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DMN3210  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
SPICE MODELS: DMN3210  
Features  
·
·
·
·
·
Low Gate Threshold Voltage  
SOT-23  
Ultra Low On-Resistance  
Low Input/Output Capacitance  
Low Input/Output Leakage  
Fast Switching Speed  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
D
B
B
C
C
TOP VIEW  
G
S
D
D
G
Mechanical Data  
E
E
H
·
·
·
·
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: U0, See Page 5  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
Ordering Information, See page 5  
G
H
K
M
J
L
J
K
Drain  
L
·
·
·
·
M
a
Gate  
All Dimensions in mm  
Source  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
DMN3210  
Units  
V
30  
±12  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
A
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
1.7  
IDM  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
Total Power Dissipation (Note 1)  
15  
A
Pd  
540  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) t £10s  
230  
-55 to +150  
Operating and Storage Temperature Range  
Note:  
1. Per mounting conditions described in Note 2.  
2. The value of RqJA is measured with the device mounted on 1 in FR-4 PC board with 2 oz. Copper, in a still air environment at  
TA = 25°C. The current rating is based on the t £10s Thermal Resistance rating.  
2
3. Repetitive Rating, pulse width limited by junction temperature.  
DS30388 Rev. 2 - 2  
1 of 5  
DMN3210  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12345

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与DMN3210-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMN3210-7 DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
DMN3270UVT DIODES

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 		30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN32D0LFB4 DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN32D0LFB4-7B DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
DMN32D0LV DIODES

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 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN32D0LVQ DIODES

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DMN32D2LDF DIODES

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DMN32D2LFB4 DIODES

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DMN32D2LFB4_15 DIODES

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