DDB6U205N16L

更新时间： 2024-09-16 12:52:39

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管桥式整流二极管
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DDB6U205N16L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.47 V	最大非重复峰值正向电流：	1600 A
元件数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	208 A	最大重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	Base Number Matches：	1

DDB6U205N16L 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 205 N 16 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_d

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

1600

1700

120

Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

T_C= 100°C

T_C= 99°C

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

T_A= 35°C, KM 14 (V_L= 45l/s)

T_A= 35°C, KM 33 (V_L= 90l/s)

Ausgangsstrom

output current

205

208

113

190

208

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I_FSM

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

1600

1375

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

12800

9450

A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 200A

v_F

Durchlaßspannung

forward voltage

max. 1,47

0,75

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

forward slope resistance

2,2

mΩ

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

i_R

Sperrstrom

max.

reverse current

V_ISOL

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

3,0

3,6

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

R_thJC

pro Modul / per module, Θ = 120°rect

pro Element / per chip, Θ = 120°rect

pro Modul / per module, DC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,098

max. 0,590

max. 0,078

max. 0,470

°C/W

pro Element / per chip, DC

R_thCK

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

pro Modul / per module

pro Element / per chip

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

max. 0,033

max. 0,200

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

150

- 40...+150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

BIP PPE 4 rev.2

25. Okt 05

A 09/05

Seite/page 1(6)

12 3 4 5 6 7

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DDB6U205N16L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DDB6U205N16	INFINEON	功能相似	Bridge Rectifier Diode, 208A, 1600V V(RRM),

与DDB6U205N16L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DDB6U205N16LHOSA1	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
DDB6U215N12	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 215A, 1200V V(RRM),
DDB6U215N12L	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
DDB6U215N14	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 215A, 1400V V(RRM),
DDB6U215N14K	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, 1400V V(RRM), Silicon, ISOPACK-14
DDB6U215N16L	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 215A, 1600V V(RRM),
DDB6U215N16LHOSA1	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
DDB6U215N18	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 215A, 1800V V(RRM),
DDB6U215N18K	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, 1800V V(RRM), Silicon, ISOPACK-14
DDB6U215N18L	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,

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