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DDB6U75N16W1R

更新时间: 2024-11-05 06:52:51
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8页 1941K
描述
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values

DDB6U75N16W1R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X27针数:27
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.11Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):69 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X27湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:27
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):630 ns
标称接通时间 (ton):137 nsBase Number Matches:1

DDB6U75N16W1R 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB6U75N16W1R  
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier  
Vorläufige Daten / preliminary data  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒç¢»¢  
I碻¢  
IŒ»¢  
1600  
65  
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.  
T† = 100°C  
forward current RMS maximum per diode  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
T† = 100°C  
90  
maximum RMS current at Rectifier output  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
605  
470  
A
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
1850  
1100  
A²s  
A²s  
I²t  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Durchlassspannung  
TÝÎ = 150°C, IŒ = 65 A  
forward voltage  
min. typ. max.  
1,10  
VŒ  
Iç  
V
Sperrstrom  
TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V  
reverse current  
1,00  
mA  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,65 0,72 K/W  
0,80 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: DK  
approved by: MB  
date of publication: 2009-08-07  
revision: 2.0  
1

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