Datasheet > DDB6U215N16L

DDB6U215N16L

更新时间： 2024-09-16 20:00:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	56K
描述
Bridge Rectifier Diode, 215A, 1600V V(RRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DDB6U215N16L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.61 V
最大非重复峰值正向电流：	2200 A	元件数量：	6
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	215 A
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
Base Number Matches：	1

DDB6U215N16L 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_d

Periodische Spitzensperrspannung

1200, 1400

1600, 1800

repetitive peak reverse voltage

T_vj= + 25°C...T

Stoßspitzensperrspannung

1300, 1500

1700, 1900

vj max

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

125

T_C= 110°C

Ausgangsstrom

215

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

output current

127

215

T_A= 35°C, KM 14 (V = 45l/s)

T_A= 35°C, KM 33 (V = 90l/s)

T_vj= 25°C, t = 10ms

I_FSM

Stoßstrom-Grenzwert

2200

1950

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

surge forward current

T_vj= 25°C, t = 10ms

Grenzlastintegral

I²t

24200

19000

A²s

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 300A

v_F

Durchlaßspannung

forward voltage

max. 1,61

0,75

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

1,6

mΩ

forward slope resistance

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

i_R

Sperrstrom

max.

reverse current

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

3,0

3,6

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

pro Modul / per module, Θ = 120°rect

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max. 0,082

max. 0,490

max. 0,065

max. 0,390

°C/W

pro Element / per chip, Θ = 120°rect

pro Modul / per module, DC

pro Element / per chip, DC

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per module

pro Element / per chip

R_thCK

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Übergangs-Wärmewiderstand

max. 0,033

max. 0,200

°C/W

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

150

- 40...+150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

MOD-E1; R. Jörke

09. Feb 99

A /99

Seite/page 1(7)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与DDB6U215N16L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DDB6U215N16LHOSA1	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
DDB6U215N18	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 215A, 1800V V(RRM),
DDB6U215N18K	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, 1800V V(RRM), Silicon, ISOPACK-14
DDB6U215N18L	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
DDB6U25N16VR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
DDB6U30N08VR	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
DDB6U50N16W1R	INFINEON	获取价格	EasyBRIDGE 1?1600 V, 50 A Diode Bridge module with 1200 V?TRENCHSTOP? IGBT7?Brake Chopper.
DDB6U50N16W1RP	INFINEON	获取价格	EasyBRIDGE 1?1600 V, 50 A Diode Bridge module with 1200 V?TRENCHSTOP? IGBT7?Brake Chopper,
DDB6U50N16W1RP_B11	INFINEON	获取价格	EasyBRIDGE 1?1600 V, 50 A Diode Bridge module with 1200 V?TRENCHSTOP? IGBT7?Brake Chopper,
DDB6U50N22W1RP_B11	INFINEON	获取价格	EasyBRIDGE 1 2200 V, 50 A Diode Bridge Module

与DDB6U215N16L相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

8
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

7
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DDB6U215N16L

DDB6U215N16L 技术参数

DDB6U215N16L 数据手册

与DDB6U215N16L相关器件

与DDB6U215N16L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DDB6U215N16L

DDB6U215N16L 技术参数

DDB6U215N16L 数据手册

与DDB6U215N16L相关器件

与DDB6U215N16L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？