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DDB6U215N18K

更新时间： 2024-11-21 10:38:19

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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, 1800V V(RRM), Silicon, ISOPACK-14

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DDB6U215N18K 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

V_RRM

V_RSM

I_FRMSM

I_d

Periodische Spitzensperrspannung

1200, 1400

1600, 1800

repetitive peak reverse voltage

T_vj= + 25°C...T

Stoßspitzensperrspannung

1300, 1500

1700, 1900

vj max

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

125

T_C= 110°C

Ausgangsstrom

215

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

output current

127

215

T_A= 35°C, KM 14 (V = 45l/s)

T_A= 35°C, KM 33 (V = 90l/s)

T_vj= 25°C, t = 10ms

I_FSM

Stoßstrom-Grenzwert

2200

1950

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

surge forward current

T_vj= 25°C, t = 10ms

Grenzlastintegral

I²t

24200

19000

A²s

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 300A

v_F

Durchlaßspannung

forward voltage

max. 1,61

0,75

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

1,6

mΩ

forward slope resistance

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

i_R

Sperrstrom

max.

reverse current

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

3,0

3,6

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

pro Modul / per module, Θ = 120°rect

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max. 0,082

max. 0,490

max. 0,065

max. 0,390

°C/W

pro Element / per chip, Θ = 120°rect

pro Modul / per module, DC

pro Element / per chip, DC

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per module

pro Element / per chip

R_thCK

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Übergangs-Wärmewiderstand

max. 0,033

max. 0,200

°C/W

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

150

- 40...+150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

MOD-E1; R. Jörke

09. Feb 99

A /99

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DDB6U25N16VR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
DDB6U30N08VR	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
DDB6U50N16W1R	INFINEON	获取价格	EasyBRIDGE 1?1600 V, 50 A Diode Bridge module with 1200 V?TRENCHSTOP? IGBT7?Brake Chopper.
DDB6U50N16W1RP	INFINEON	获取价格	EasyBRIDGE 1?1600 V, 50 A Diode Bridge module with 1200 V?TRENCHSTOP? IGBT7?Brake Chopper,
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