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DDB6U84N16RRBOSA1

更新时间： 2024-11-05 20:45:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	228K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17

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DDB6U84N16RRBOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17	针数：	17
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	8.4
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X17	元件数量：	1
端子数量：	17	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DDB6U84N16RRBOSA1 数据手册

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Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 84 N 16 RR

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Netz-Diode / Rectifier diode

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_FRMSM

I_d

1600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

T_C= 100°C

T_C= 84°C

Ausgangsstrom

output current

104

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

I_FSM

I²t

650

550

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

2100

1500

A²s

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

I_C

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

t_p= 1ms

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

repetitive peak collektor current

I_CRM

P_tot

V_GE

100

350

± 20

T_C= 25°C

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

t_p= 1ms

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

I_FRM

Modul

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50Hz, t = 1min

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / Characteristic values

Netz-Diode / Rectifier diode

min. typ. max.

1,55

T_vj= T_{vj max}, i_F= 100A

T_vj= T_{vj max}

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,75

5,5

mΩ

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

forward slope resistance

T_vj= T_{vj max,}v_{R =}V_RRM

Sperrstrom

reverse current

i_R

IGBT

T_vj= 25°C, i_C= 50A, v_GE= 20V

T_vj= 125°C, i_C= 50A, v_GE= 20V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

v_{CE sat}

2,5 3,2

3,1

T_vj= 25°C, i_C= 2mA, v_GE= v_CE

Gate-Emitter-Schwellspannung

gate-emitter threshold voltage

v_GE(TO)

4,5 5,5 6,5

BIP PPE 4 rev.2

A 17/05

Seite/page 1(3)

27. Okt 05

12 3 4

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